參數(shù)資料
型號： IRF7210PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 557K
代理商： IRF7210PBF
IRF7210PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
8000
12000
16000
20000
24000
0
2
4
6
8
10
12
C
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
Q , Total Gate Charge (nC)
A
-
I = -10A
V = -12V
G
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area.
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
A
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
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PDF描述
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IRF7210TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 212nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF721FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
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