參數(shù)資料
型號： IRF6216PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： IRF6216PBF
IRF6216PbF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-
D
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
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PDF描述
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IRF630N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
IRF630NL Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
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