參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6216PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商： IRF6216PBF
IRF6216PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I
=
D
-1.3A
V
= -30V
DS
V
= -75V
DS
V
= -120V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
-D
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6218PBF HEXFET Power MOSFET
IRF6218 SMPS MOSFET
IRF630NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
IRF630N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
IRF630NL Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
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參數(shù)描述
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IRF6216TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6217 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8
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