參數(shù)資料
型號(hào)： IRF614
廠(chǎng)商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2.0A, 250V, 2.0 Ohm,N-Channel Power MOSFET(2.0A, 250V, 2.0 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET)
中文描述： 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： IRF614
1
January 1998
Features
2.0A, 250V
r
DS(ON)
= 2.0
Single Pulse Avalanche Energy Rated
SOA is Power Dissipation Limited
Nanosecond Switching Speeds
Linear Transfer Characteristics
High Input Impedance
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
Description
This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power
field effect transistor. It is an advanced power MOSFET
designed, tested, and guaranteed to withstand a specified
level of energy in the breakdown avalanche mode of opera-
tion. This power MOSFET is designed for applications such
as switching regulators, switching converters, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
This type can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA17443.
Symbol
Packaging
JEDEC TO-220AB
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
IRF614
TO-220AB
IRF614
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
D
S
GATE
DRAIN (FLANGE)
SOURCE
DRAIN
File Number
3273.1
IRF614
2.0A, 250V, 2.0 Ohm,
N-Channel Power MOSFET
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
Intersil Corporation 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6156 FlipFET Power MOSFET
IRF620 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF614A 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB
IRF614B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRF614B_FP001 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF614BFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF614L 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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