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參數(shù)資料
| 型號： | IRF614 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2.0A, 250V, 2.0 Ohm,N-Channel Power MOSFET(2.0A, 250V, 2.0 Ω,N溝道增強型功率MOSFET) |
| 中文描述： | 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | IRF614 |
4
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
Z
θ
J
,
T
o
C
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-5
10
-4
1
10
-2
0.1
SINGLE PULSE
0.1
0.02
0.01
0.2
0.5
0.05
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
10
1
10
10
2
10
3
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
1
0.1
10
-2
I
D
,
T
C
= 25
o
C
T
J
= MAX RATED
SINGLE PULSE
1
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
OPERATION IN THIS
AREA IS LIMITED
BY r
DS(ON)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
0
0
20
40
60
80
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
100
80
μ
s PULSE TEST
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 6.5V
0
0.6
0
1
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
5
1.2
1.8
I
D
,
2.4
4
3.0
80
μ
s PULSE TEST
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
V
GS
= 5V
V
GS
= 6V
V
GS
= 6.5V
V
GS
= 5.5V
0
2
4
6
10
I
D
,
V
G
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
8
10
1
0.1
10
-2
80
μ
s PULSE TEST
V
DS
= 2 x V
GS
IRF614
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