參數(shù)資料
型號： IRF5852
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的）
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： IRF5852
Parameter
Max.
20
2.7
2.2
11
0.96
0.62
7.7
± 12
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
A
mW/°C
V
°C
V
GS
T
J,
T
STG
-55 to + 150
3/1/01
Parameter
Max.
130
Units
°C/W
R
θ
JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
1
IRF5852
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max (
0.090@V
GS
= 4.5V
0.120@V
GS
= 2.5V
These N-channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit provides the designer with an extremely efficient
device for use in battery and load management
applications.
This Dual TSOP-6 package is ideal for applications
where printed circuit board space is at a premium and
where maximum functionality is required. With two
die per package, the IRF5852 can provide the
functionality of two SOT-23 packages in a smaller
footprint. Its unique thermal design and R
DS(on)
reduction enables an increase in current-handling
capability.
Description
l
Ultra Low On-Resistance
l
Dual N-Channel MOSFET
l
Surface Mount
l
Available in Tape & Reel
l
Low Gate Charge
PD - 93999
TSOP-6
Top View
V
DSS
20 V
)
I
D
2.7A
2.2A
S2
G2
G1
3
2
1
4
5
6
D1
D2
S1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5EA1310 POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
IRF5NJZ48 POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=22A*)
IRF5Y3315CM Standard Recovery Rectifier; Forward Current:20A; Forward Current Average:12.7A; Forward Current Avg Rectified, IF(AV):12.7A; Forward Surge Current Max, Ifsm:300A; Forward Voltage:1.1V; Forward Voltage Max, VF:1.1V RoHS Compliant: Yes
IRF5Y5305CM POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-18A*)
IRF5Y540CM POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.058ohm, Id=18A*)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF5852TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF5852TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
IRF5EA1310 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 23A 28PIN LCC - Bulk
IRF5EA1310SCV 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 23A 28PIN LCC - Bulk
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