- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄378636 > IRF520A (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為100V，導通電阻為0.2Ω，漏電流為9.2A）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF520A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為100V，導通電阻為0.2Ω，漏電流為9.2A）) |
| 中文描述： | 9.2 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | IRF520A |
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175 Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.155 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
R
R
JC
CS
JA
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 )
Continuous Drain Current (T
C
=100 )
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25 )
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
Characteristic
Value
100
9.2
6.5
37
2
0
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
θ
θ
Ο
C
Ο
C
Ο
C
IRF520A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.2
I
D
= 9.2 A
113
9.2
4.5
6.5
45
0.3
- 55 to +175
300
3.31
--
62.5
--
0.5
--
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF540A | Advanced Power MOSFET |
| IRF614 | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為250V，導通電阻為2.0Ω，漏電流為2.8A）) |
| IRF620A | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為200V，導通電阻為0.8Ω，漏電流為5A）) |
| IRF634S | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為250V，導通電阻為0.45Ω，漏電流為8.1A）) |
| IRF634 | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為250V，導通電阻為0.45Ω，漏電流為8.1A）) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF520CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
| IRF520FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF520L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| IRF520N | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。