參數(shù)資料
型號(hào)： IRF540A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 28 A, 100 V, 0.052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 256K
代理商： IRF540A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10
Lower R
DS(ON)
: 0.041
A (Max.) @ V
DS
= 100V
(Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
JC
R
CS
R
JA
θ
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
)
)
)
Characteristic
Value
100
28
19.8
110
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
μ
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
θ
IRF540A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.052
I
D
= 28 A
523
28
10.7
6.5
107
0.71
- 55 to +175
300
1.4
--
62.5
--
0.5
--
2
0
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF614 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為2.0Ω，漏電流為2.8A）)
IRF620A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為200V，導(dǎo)通電阻為0.8Ω，漏電流為5A）)
IRF634S N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.45Ω，漏電流為8.1A）)
IRF634 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.45Ω，漏電流為8.1A）)
IRF640A L E D,YELLOW,50 DEG VIEW ANGLE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF540CHIP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP
IRF540FI 功能描述:MOSFET REORD 511-IRF540 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:100 V 閘/源擊穿電壓:+/- 20 V 漏極連續(xù)電流:17 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.077 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 175 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
IRF540L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 28A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF540N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF540N_R4942 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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