參數(shù)資料
型號： IRF620A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為200V，導(dǎo)通電阻為0.8Ω，漏電流為5A）)
中文描述： 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： IRF620A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 200V
Low R
DS(ON)
: 0.626 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
JC
R
CS
R
JA
θ
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds
)
)
)
Characteristic
Value
200
5
3.2
18
30
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
o
C
A
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
IRF620A
BV
DSS
= 200 V
R
DS(on)
= 0.8
I
D
= 5 A
67
5
4.7
5.0
47
0.38
- 55 to +150
300
2.65
--
62.5
--
0.5
--
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
o
C
o
C
o
C
o
C
θ
θ
o
C/W
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF634S N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.45Ω，漏電流為8.1A）)
IRF634 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.45Ω，漏電流為8.1A）)
IRF640A L E D,YELLOW,50 DEG VIEW ANGLE
IRF644 250V N-Channel MOSFET
IRF644 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF620B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRF620B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF620CHIP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | CHIP
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