參數(shù)資料
型號: IRF3808STRL
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五(巴西)直| 106A章一(d)|至262
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代理商: IRF3808STRL
IRF3808S/IRF3808L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25
°
C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175
J
C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
137A
1.0
3.0
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3808STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808L Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A)
IRF4435 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
IRF448 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA
IRF520CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3808STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3808STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3910 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF3N25 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET