參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3808SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大小： 308K
代理商： IRF3808SPBF
IRF3808S/LPbF
8
www.irf.com
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!
" #"! !
#$%
&'
#$#()
"
!*+
!' **'",
-.*#) # !
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF510PBF HEXFET POWER MOSFET
IRF510S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
IRF520L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520VL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3808SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:200W
IRF3808STRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262
IRF3808STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3808STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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