參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3808SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： IRF3808SPBF
IRF3808S/LPbF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
0
160
320
480
640
800
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
34A
58A
82A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF510PBF HEXFET POWER MOSFET
IRF510S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
IRF520L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520VL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
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參數(shù)描述
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