參數(shù)資料
型號： IRF510PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： IRF510PBF
www.irf.com
1
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PDF描述
IRF510S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
IRF520L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520VL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520VS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF510PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF510R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB
IRF510S 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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