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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF510PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | IRF510PBF |
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www.irf.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF510S | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) |
| IRF520L | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| IRF520NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| IRF520VL | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520VS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF510PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF510R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
| IRF510S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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