參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3205
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 8.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 160K
代理商： IRF3205
IRF3205S/L
www.irf.com
5
R
D
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
90%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Duty Factor
≤ 0.1 %
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
T , Case Temperature (°
I
LIMITED BY PACKAGE
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
V
DS
10%
Pulse Width
≤ 1
μs
V
DD
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3205S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3305PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRF3415S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
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IRF3205LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 98A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 98A, TO-220
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