參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3205
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 8.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： IRF3205
IRF3205S/L
4
www.irf.com
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
62A
V
= 11V
DS
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3205S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3305PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF3315 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
IRF3415L RES CRCW08054R7J DALE 3
IRF3415S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3205L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3205LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 98A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 98A, TO-220
IRF3205PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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