參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3205
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 8.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 160K
代理商： IRF3205
IRF3205S/L
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
107A
1
10
100
1000
4
6
8
10
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
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PDF描述
IRF3205S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
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IRF3205LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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