參數資料
型號： IRF3007LPBF
元件分類： JFETs
英文描述： 62 A, 75 V, 0.0126 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
文件頁數： 10/11頁
文件大?。?/td> 323K
代理商： IRF3007LPBF
IRF3007S/LPbF
8
www.irf.com
Fig 17.
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
* VGS = 5V for Logic Level Devices
*
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
10V
+
-VDD
Fig 18a. Switching Time Test Circuit
Fig 18b. Switching Time Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
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IRF351 15 A, 350 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF543 24 A, 60 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
IRFF9231 4 A, 150 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205
IRF614 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
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