參數(shù)資料
型號: IRC4BC40F
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 172K
代理商: IRC4BC40F
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
T
R = 10
T = 150
°
C
V = 480V
V = 15V
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRC530PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRC540PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.077ヘ , ID=28A )
IRD3900 20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
IRD3910 DIODE SWITCHING DUAL COMMON-ANODE 240V 225mA-Io 350mW 50ns-trr SOT-23 3K/REEL
IRD3911 20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRC503 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
IRC530 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 14A 5-Pin(5+Tab) TO-220 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET CURRENT SENSING TO-220-5
IRC530-007 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR
IRC530-008 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR
IRC530PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件