參數資料
型號： IRC4BC40F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數： 5/8頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： IRC4BC40F
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
100
120
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 27A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
A
R = 10
V = 15V
V = 480V
CC
I = 14A
I = 27A
I = 54A
C
GE
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
0
10
20
30
40
50
60
A
V = 480V
V = 15V
T = 25
°
C
I = 27A
R , Gate Resistance
()
T
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0V f = 1 MHz
Cies = Cge + Cgc + Cce SHORTED
Cres = Cce
Coes = Cce + Cgc
C
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PDF描述
IRC530PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數描述
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