參數(shù)資料
型號： IRC4BC40F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： IRC4BC40F
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (
°
C)
V = 15V
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
A
I = 54A
I = 27A
I = 14A
C
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRC530PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRC540PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.077ヘ , ID=28A )
IRD3900 20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
IRD3910 DIODE SWITCHING DUAL COMMON-ANODE 240V 225mA-Io 350mW 50ns-trr SOT-23 3K/REEL
IRD3911 20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
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