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參數(shù)資料
| 型號： | IPI16CNE8NG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 568K |
| 代理商： | IPI16CNE8NG |
IPB16CNE8N G IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G IPP16CNE8N G
Rev. 1.01
page 9
2006-02-16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB25N06S3-25 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPI25N06S3-25 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPI25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPI16CNE8NGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI180N10N3 G | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPI180N10N3G | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOSTM3 Power-Transistor |
| IPI180N10N3GXKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 |
| IPI200N15N3 G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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