參數(shù)資料
型號(hào)： IPI16CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 568K
代理商： IPI16CNE8NG
IPB16CNE8N G IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G IPP16CNE8N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
1.5
K/W
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm2 cooling area
4)
-
-
40
minimal footprint
-
-
75
6 cm2 cooling area
4)
-
-
50
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
85
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=61 μA
2
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=68 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=53 A,
(TO252)
-
12.2
16
m
V
GS
=10 V,
I
D
=53 A,
(TO263)
-
12.4
16.2
V
GS
=10 V,
I
D
=53 A,
(TO220, TO262)
-
12.7
16.5
Gate resistance
R
G
-
1.2
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=53 A
33
65
-
S
Values
4)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Thermal resistance, junction -
ambient (TO220, TO262, TO263)
Thermal resistance, junction -
ambient (TO252)
Rev. 1.01
page 2
2006-02-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI16CNE8NGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI180N10N3 G 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI180N10N3G 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPI180N10N3GXKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
IPI200N15N3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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