參數(shù)資料
型號: IPI100N08S2-07
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 168K
代理商: IPI100N08S2-07
IPB100N08S2-07
IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= (
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. Forward transconductance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 6V
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
= 25°C
parameter:
T
j
parameter:
g
fs
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
7 V
10 V
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
I
D
5 V
5.5 V
6 V
8 V
10 V
4
6
8
10
12
14
16
18
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
]
-55 °C
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
[V]
I
D
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
I
D
[A]
150
200
g
f
Rev. 1.0
page 5
2006-03-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI100N08S207AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
IPI100N10S3-05 功能描述:MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N10S305AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
IPI100P03P3L-04 功能描述:MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI110N20N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube