參數(shù)資料
型號(hào)： IPI100N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： IPI100N08S2-07
IPB100N08S2-07
IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
100
A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
94
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
I
D
= 80 A
810
mJ
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
75
V
R
DS(on),max
(SMD version)
6.8
m
I
D
100
A
Product Summary
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
PG-TO263-3-2
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB100N08S2-07
PG-TO263-3-2
SP0002-19044
PN0807
IPP100N08S2-07
PG-TO220-3-1
SP0002-19005
PN0807
IPI100N08S2-07
PG-TO262-3-1
SP0002-19041
PN0807
Rev. 1.0
page 1
2006-03-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI100N08S207AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
IPI100N10S3-05 功能描述:MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N10S305AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
IPI100P03P3L-04 功能描述:MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI110N20N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*