參數(shù)資料
型號(hào)： IPI100N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： IPI100N08S2-07
IPB100N08S2-07
IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
2)
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.5
K/W
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R
thJA
-
-
62
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1 mA
75
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=250 μA
2.1
3.0
4.0
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=75 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.01
1
μA
V
DS
=75 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
-
5.8
7.1
m
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD version
-
5.5
6.8
Values
Rev. 1.0
page 2
2006-03-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPI100N10S3-05 功能描述:MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N10S305AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
IPI100P03P3L-04 功能描述:MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI110N20N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 200V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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