參數(shù)資料
型號： IPI100N06S3-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 170K
代理商： IPI100N06S3-03
IPB100N06S3-03
IPI100N06S3-03, IPP100N06S3-03
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= (
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 6V
R
DS(on)
= f(
T
j
);
I
D
= 80 A;
V
GS
= 10 V
parameter:
T
j
0
1
2
3
4
5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
-55 °C
25 °C
175 °C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
[V]
I
D
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
10 V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
2
4
6
8
V
DS
[V]
I
D
5 V
5.5 V
6 V
8 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
]
Rev. 1.0
page 5
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI100N06S303XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI100N06S3-04 功能描述:MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N06S304XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI100N06S3L-03 功能描述:MOSFET N-CH 55V100A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N06S3L03XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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