參數(shù)資料
型號(hào)： IPI100N06S3-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 170K
代理商： IPI100N06S3-03
IPB100N06S3-03
IPI100N06S3-03, IPP100N06S3-03
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
= f(
T
C
);
V
GS
≥
6 V
I
D
= f(
T
C
);
V
GS
≥
6 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
= f(
V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
Z
thJC
= f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.05
0.1
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
10
-4
10
-5
10
-6
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI100N06S303XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI100N06S3-04 功能描述:MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N06S304XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI100N06S3L-03 功能描述:MOSFET N-CH 55V100A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N06S3L03XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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