參數(shù)資料
型號： IPI09N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS 2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： IPI09N03LA
IPB09N03LA
IPI09N03LA, IPP09N03LA
Package Outline
P-TO263-3-2: Outline
Footprint
Packaging
Dimensions in mm
Rev. 1.3
page 8
2003-12-18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB100N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI09N03LAXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI100N04S303 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N04S3-03 功能描述:MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 100A 2.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N04S303AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
IPI100N04S3-03M 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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