參數(shù)資料
型號： IPI09N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS 2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 347K
代理商： IPI09N03LA
IPB09N03LA
IPI09N03LA, IPP09N03LA
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=25 A pulsed
parameter: T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
5 V
15 V
20 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
Q
gate
[nC]
V
G
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.3
page 7
2003-12-18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB100N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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