參數(shù)資料
型號(hào)： IPB25N06S3-25
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 167K
代理商： IPB25N06S3-25
IPB25N06S3-25
IPI25N06S3-25, IPP25N06S3-25
13 Typical avalanche energy
14 Typ. drain-source breakdown voltage
E
AS
= f(
T
j
)
V
BR(DSS)
= f(
T
j
);
I
D
= 1 mA
parameter:
I
D
15 Typ. gate charge
16 Gate charge waveforms
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 25 A pulsed
parameter:
V
DD
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
11 V
44 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
Q
gate
[nC]
30
40
50
V
G
5A
8A
12A
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
T
j
[°C]
E
A
V
GS
Q
gate
Q
gs
Q
gd
Q
g
Rev. 1.0
page 7
2006-04-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB25N06S3-25_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB25N06S325XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB25N06S3L-22 功能描述:MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB25N06S3L-22_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB25N06S3L22XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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