參數(shù)資料
型號： IPB100N06S3L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPB100N06S3L-03
IPB100N06S3L-03
IPI100N06S3L-03, IPP100N06S3L-03
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
);
V
GS
≥
4 V
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
4 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.05
0.1
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
10
-4
10
-5
10
-6
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2005-09-16
相關PDF資料
PDF描述
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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