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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPB09N03LA |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | IPB09N03LA |
IPB09N03LA
IPI09N03LA, IPP09N03LA
P-TO262-3-1: Outline
P-TO220-3-1: Outline
Packaging
Dimensions in mm
Rev. 1.3
page 9
2003-12-18
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI09N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPP09N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPB100N04S2-04 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB100N04S2L-03 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB100N06S3-03 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB09N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPB09N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB09N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB09N03LAT | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPB1 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD BARRIER 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
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