參數(shù)資料
型號(hào)： IPB09N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS 2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 347K
代理商： IPB09N03LA
IPB09N03LA
IPI09N03LA, IPP09N03LA
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. Capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
20 μA
200 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.3
page 6
2003-12-18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB100N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB09N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB09N03LAG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB09N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB09N03LAT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB1 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD BARRIER 制造商:Omron Corporation 功能描述:
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