參數(shù)資料
型號(hào)： IPB08CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 472K
代理商： IPB08CNE8NG
IPB08CNE8N G
IPI08CNE8N G IPP08CNE8N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=95 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
20 V
50 V
80 V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
Q
gate
[nC]
V
G
75
80
85
90
95
100
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.01
page 7
2006-02-17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB08CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB090N06N3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB090N06N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
IPB090N06N3GATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB090N06N3GXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
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