參數(shù)資料
型號(hào)： IPB08CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 472K
代理商： IPB08CNE8NG
IPB08CNE8N G
IPI08CNE8N G IPP08CNE8N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
0
10
-1
10
-2
t
p
[s]
Z
t
0
40
80
120
160
200
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.01
page 4
2006-02-17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB08CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB090N06N3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB090N06N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
IPB090N06N3GATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
IPB090N06N3GXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
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