參數(shù)資料
型號： IPB070N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： IPB070N06NG
IPB070N06N G IPP070N06N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=80 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
5
10
15
20
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
180μA
1800 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
SD
[V]
I
F
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
C
Rev. 1.01
page 6
2006-06-19
相關PDF資料
PDF描述
IPB085N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB08CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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