參數(shù)資料
型號： IPB070N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： IPB070N06NG
IPB070N06N G IPP070N06N G
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
Low gate charge for fast switching applications
N-channel enhancement - normal level
175 °C operating temperature
Avalanche rated
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
1)
80
A
T
C
=100 °C
80
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
2)
320
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=80 A,
R
GS
=25
530
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=80 A,
V
DS
=48 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
250
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
2)
See figure 3
1)
Current is limited by bondwire; with an
R
thJC
=0.6 K/W the chip is able to carry 127 A.
V
DS
60
V
R
DS(on),max SMDversion
6.7
m
I
D
80
A
Product Summary
Type
Package
Marking
IPB066N06N G
Package
P-TP-TO263-3-2
066N06N
P-TO220-3-1
IPP066N06N G
Marking
070P-TO220-3-1
0066N06N
Type
IPB070N06N G
IPP070N06N G
Rev. 1.01
page 1
2006-06-19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB085N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB08CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB070N06NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB070N08N3G 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPB072N15N3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB072N15N3 G E8187 功能描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB072N15N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Ch 150V 100A OptiMOS3 TO263 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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