參數(shù)資料
型號(hào)： IKW40T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARAALEL EMCON HE DIODE
中文描述： 低損耗DUOPACK：在戰(zhàn)壕和場終止技術(shù)IGBT的軟，恢復(fù)快，抗何PARAALEL快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 6/15頁
文件大?。?/td> 449K
代理商： IKW40T120
IKW40T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
6
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
100A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=17V
I
C
,
C
0V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristic
(
T
j
= 150°C)
1V
2V
3V
4V
5V
6V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
100A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=17V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristic
(
T
j
= 25°C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
12V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
100A
25°C
T
J
=150°C
V
C
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
0,0V
0,5V
1,0V
1,5V
2,0V
2,5V
3,0V
3,5V
I
C
=40A
I
C
=80A
I
C
=25A
I
C
=10A
V
GE
,
GATE-EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristic
(V
CE
=20V)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of
junction temperature
(
V
GE
= 15V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IKW50N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IL-G-xxP-S3x2 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-15P-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-2P-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-2S-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IKW40T120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
IKW40T120XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube
IKW40TI20FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IKW50N60H3 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED SWITCHING RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKW50N60H3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 50A 333W TO247-3
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