參數(shù)資料
型號： IKW40T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARAALEL EMCON HE DIODE
中文描述： 低損耗DUOPACK：在戰(zhàn)壕和場終止技術(shù)IGBT的軟，恢復(fù)快，抗何PARAALEL快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 10/15頁
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代理商： IKW40T120
IKW40T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
10
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
V
C
,
C
-
E
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
C
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
TIME
t
,
TIME
Figure 21. Typical turn on behavior
(V
GE
=0/15V,
R
G
=15
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 22. Typical turn off behavior
(V
GE
=15/0V,
R
G
=15
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
Z
t
,
T
10μs
100μs
t
P
,
PULSE WIDTH
1ms
10ms
100ms
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 23. IGBT transient thermal resistance
(
D = t
p
/
T
)
Figure 24. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse
width
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(K/W )
0.159
0.133
0.120
0.038
τ
,
(s)
=
1.10*10
-1
1.56*10
-2
1.35*10
-3
1.51*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.228
0.257
0.238
0.087
τ
,
(s)
=
1.01*10
-1
1.15*10
-2
1.30*10
-3
1.53*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IKW50N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IL-G-xxP-S3x2 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-15P-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-2P-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-2S-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IKW40T120XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube
IKW40TI20FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IKW50N60H3 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED SWITCHING RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKW50N60H3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 50A 333W TO247-3
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