參數(shù)資料
型號(hào)： IHW20N120R2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開(kāi)展與IGBT的單片體二極管
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 375K
代理商： IHW20N120R2
IHW20N120R2
Soft Switching Series
Power Semiconductors
8
Rev. 1.2 May 06
V
G
,
G
-
E
0nC
50nC
100nC
150nC
0V
5V
10V
960V
240V
c
C
0V
10V
20V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
GATE CHARGE
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a function
of collector-emitter voltage
(
V
GE
=0V,
f
= 1 MHz)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
=20 A)
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 19. IGBT transient thermal
resistance
(
D = t
p
/
T
)
Figure 20. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(K/W )
0.0788
0.183
0.162
0.0505
τ
,
(s)
1.04*10
-1
1.52*10
-2
9.51*10
-4
4.95*10
-5
R
1
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.0578
0.1699
0.1392
0.087
τ
,
(s)
1.16*10
-1
1.88*10
-2
2.03*10
-3
2.38*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
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PDF描述
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