參數(shù)資料
型號： IHW20N120R2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開展與IGBT的單片體二極管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 375K
代理商： IHW20N120R2
Dynamic Characteristic
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Gate charge
IHW20N120R2
Soft Switching Series
Power Semiconductors
3
Rev. 1.2 May 06
C
iss
C
oss
C
rss
Q
Gate
-
-
-
-
1887
59
47
143
-
-
-
-
V
CE
=25V,
V
GE
=0V,
f
=1MHz
pF
V
CC
=960V,
I
C
=20A
V
GE
=15V
nC
Internal emitter inductance
measured 5mm (0.197 in.) from case
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
L
E
-
13
-
nH
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
359
53
-
1.2
1.2
-
-
-
-
-
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=600V,
I
C
=20A
V
GE
=0 /15V,
R
G
=15
,
L
σ
C
σ
2)
=180nH,
2)
=39pF
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=175
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
427
99
-
2.0
2.0
-
-
-
-
-
ns
T
j
=175
°
C
V
CC
=600V,
I
C
=20A,
V
GE
= 0 /15V,
R
G
= 15
,
L
σ
=180nH
2)
,
C
σ
=39pF
2)
mJ
2)
Leakage inductance
L
σ
and Stray capacity
C
σ
due to dynamic test circuit in Figure E.
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PDF描述
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