參數(shù)資料
型號： IHW15T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
中文描述： 在IGBT的溝槽場終止技術(shù)和軟，恢復(fù)快反平行何快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 339K
代理商： IHW15T120
^
IHW15T120
Soft Switching Series
Power Semiconductors
7
Rev. 2 Mar-04
t
S
0A
10A
20A
1ns
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
S
10
35
R
G
,
GATE RESISTOR
60
85
110
1ns
10ns
100ns
1μs
t
f
t
r
t
d(off)
t
d(on)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
J
=150°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
R
G
=56
,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
J
=150°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
Dynamic test circuit in Figure E)
t
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
r
t
f
t
d(on)
t
d(off)
V
G
)
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
min.
typ.
max.
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
=600V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
R
G
=56
,
Dynamic test circuit in Figure E)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage as
a function of junction temperature
(
I
C
= 0.6mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IHW20N120R2 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20N120R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20T120 Soft Switching Series
IHW30N100R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N120R IGBT with monolithic body diode for soft switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IHW15T120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
IHW20N120R 功能描述:IGBT 晶體管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R2 功能描述:IGBT 晶體管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R3 功能描述:IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*