參數資料
型號： IHW15T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
中文描述： 在IGBT的溝槽場終止技術和軟，恢復快反平行何快恢復二極管
文件頁數： 4/14頁
文件大?。?/td> 339K
代理商： IHW15T120
^
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
IHW15T120
Soft Switching Series
Power Semiconductors
4
Rev. 2 Mar-04
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
Anti-Parallel Diode Characteristic
Diode reverse recovery time
Diode reverse recovery charge
Diode peak reverse recovery current
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
50
35
600
120
2.0
2.1
4.1
-
-
-
-
-
-
-
ns
T
j
=150
°
C,
V
CC
=600V,
I
C
=15A,
V
GE
= 0 /15V,
R
G
= 56
L
σ
C
σ
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
1)
=180nH,
1)
=39pF
mJ
t
rr
Q
rr
I
rrm
-
-
-
210
1600
16.5
-
-
-
ns
nC
A
T
j
=150
°
C
V
R
=800V,
I
F
=9A,
di
F
/dt
=750A/
μ
s
1)
Leakage inductance
L
σ
and Stray capacity
C
σ
due to dynamic test circuit in Figure E.
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