參數(shù)資料
型號: IHD 680
廠商: SIEMENS AG
英文描述: IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET)
中文描述: IGBT和功率場效應晶體管(IGBT的和功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 15/24頁
文件大?。?/td> 243K
代理商: IHD 680
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 15
Es ist weiterhin darauf zu achten, da
negative
Spannungen
Meeingang nicht zulssig sind.
am
Pin 31 {Pin 20}
Anschlu Cb1 {Cb2}
Nach
Stromüberwachung
Leistungstransistor
Schutzfunktion
Treibers abgeschaltet und für eine
definierte
Minimalzeit
Zustand blockiert. Diese Funktion
dient zum Schutz vor thermischer
Ueberlastung bei dauerndem oder
wiederkehrendem Kurzschlu. Diese
Blockierzeit kann durch Beschalten
von
Pin
31
(Cb1)
Kondensator gegen Pin 35 (COM1)
{beziehungsweise Pin 20 (Cb2) gegen
Pin 24 (COM2)} bestimmt werden
(Formel siehe Seite 16). Der Blockier-
kondensator sollte einen Kapazitts-
wert von 470nF nicht überschreiten.
Ansprechen
der
der
die
wird
durch
intelligenten
des
in
diesem
mit
einem
Das Ansprechen der Schutzfunktion
auf Ueberstrom wird whrend der
Dauer
der
Blockierzeit
an
den
Ausgngen SO1+ und SO1- {SO2+
und SO2-} signalisiert.
Nach Ablauf der Blockierzeit wird der
Leistungstransistor erst wieder mit
der nchstfolgenden Einschaltflanke
eingeschaltet (siehe Abb. 7).
Pin 32 {Pin 21}
Anschlu REF1 {REF2}
An diesem Pin wird eine externe
Zenerdiode
als
angeschlossen.
festgelegt, bei welchem maximalen
Spannungsabfall am eingeschalteten
Leistungstransistor
Schutzfunktion
Ansteuerschaltung
somit
der
Leistungstransistor
abgeschaltet wird.
Referenz
wird
Damit
die
der
und
aktiviert
Die
intelligenten Halbbrücken-Treiber der
IHD-Serie werden immer dann aktiv,
wenn die Spannung an ME1 {ME2}
(Messung Drain/Kollektor) hher ist
als die Spannung an REF1 {REF2}
(siehe Abb. 6 & 7).
Schutzfunktionen
der
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