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參數(shù)資料
| 型號： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 9/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 9
Anwendungs-Vorteile
Die
Durchlaufzeiten der Treiber der IHD-
Serie ermglichen den Einsatz in
hochfrequent
Stromversorgungen, HF-Umformern
und in Resonanzwandlern. Durch die
uerst kurzen Durchlaufzeiten wird
ein
problemloser
Brückenschaltungen
Offsetprobleme werden durch die
hervorragenden Eigenschaften dieser
Ansteuermodule vermieden.
auerordentlich
kurzen
getakteten
Betrieb
gewhrleistet;
in
Durch
Treibermodulen der IHD-Serie lassen
sich innert kürzester Frist zuverlssig
Leistungsstufen
MOSFET's oder IGBT's realisieren.
den
Einsatz
von
mit
Power-
Kurzschlu- und Ueber-
stromschutz
Eine der grundlegenden Funktionen
der intelligenten Halbbrücken-Treiber
der IHD-Serie ist der sichere Schutz
der
Leistungstransistoren gegen Ueber-
strom
und
Kurzschlu.
Strommeung
basiert
Erfassung der Drain-Source- bzw.
Kollektor-Emitter-Spannung
eingeschalteten
Transistor.
Ueberschreiten
einer
Anwender
festgelegten
wird der Leistungstransistor aus-
geschaltet
und
gesteuerten
Die
der
auf
am
Nach
den
durch
Schwelle
bleibt
für
eine
definierte
Zustand blockiert. Nach Ablauf dieser
Zeit wird der Transistor synchron mit
der nchsten Einschaltflanke des
Ansteuersignals
eingeschaltet.
Minimalzeit
in
diesem
wieder
Mit diesem Schutzkonzept lassen
sich IGBT-Halbbrücken und -Drei-
phasen-Module sinnvoll und zuver-
lssig schützen.
Layout der Anschlüe
Die
Ansteuermodule der IHD-Serie sind
so angeordnet, da das Layout sehr
einfach gehalten werden kann und
der
logische
(Eingangssignal
Ansteuerschaltung
Leistungstransistoren)
wird. Zwischen Ansteuersignal und
Leistungspotential wird ein Abstand
von 45mm eingehalten!
Anschlubeine
(Pins)
der
Signalflu
eingehalten
Hinweis zur Pinbeschreibung
Da die Treiber der IHD-Serie zwei
Kanle
aufweisen,
Anschlüe mit Aus- nahme der
Spannungsversorgung
vorhanden. In
der
werden
die
Pin-Nummern
Bezeichnungen
für
angegeben.
Diejenigen
Kanal 2 stehen jeweils in einer
geschweiften Klammer {}.
sind
alle
doppelt
Beschreibung
und
den
Kanal 1
für
den
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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