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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
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IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 13
Gatespannung (siehe Beschreibung
Pin 35, COM1).
Die Ausgangsstufen der Treiber der
IHD-Reihe
sind
dimensioniert. Der maximal zulssige
Gate-Umladestrom
IHD215 1,5A, beim IHD280 und
IHD680 jeweils 8A; dies erlaubt die
Ansteuerung der grten IGBT- und
Power-MOSFET-Module. Es besteht
auch die Mglichkeit, eine Anzahl
parallelgeschalteter Leistungsmodule
direkt anzusteuern. Der Umladestrom
mu
durch
Gatewiderstand begrenzt werden. Es
ist
zu
beachten,
Ansteuerung des Gates der gesamte
Spannungshub (zweimal 12 bis 15V)
zu berücksichtigen ist.
sehr
krftig
betrgt
beim
einen
externen
da
bei
+/-
Das Gate des Leistungstransistors ist
mittels
einer
mglichst
Leitung mit dem Anschlu G1 {G2} zu
verbinden.
Schaltgeschwindigkeit sowohl beim
Ein- wie auch beim Ausschalten
unabhngig voneinander einstellen
zu
knnen,
kann
Beschaltung
mit
kurzen
Um
die
eine
zwei
Gate-
Gate-
Widerstnden und einer Diode ver-
wendet werden (siehe Abb. 5).
Unmittelbar
Emitter sollten bei IGBT's unbedingt
(anti-seriegeschaltete)
geschaltet
werden,
Zenerspannung genau der gewhl-
ten Gatespannung (12V bis 15V) ent-
spricht
(siehe
Abb.
verhindern,
da
Gatespannung
parasitren Einflüssen (zB Miller-
Effekt) auf einen Wert erhhen kann,
welcher hher ist als die nominale
Gatespannung.
Eine
Gatespannung
Kurzschlustrom
und
kann
zur
Leistungshalbleiter führen.
zwischen
Gate
und
Z-Dioden
deren
10).
sich
Diese
die
von
infolge
zu
hohe
den
erhht
überproportional
Zerstrung
der
Ein
Abschlu
Treibermodul
gewhrleistet, wenn dieses nicht mit
der Betriebsspannung versorgt wird.
ausreichend
des
niederohmiger
Gate
ist
auch
vom
dann
Pin 33 {Pin 22}
Anschlu E1 {E2}
Dieser Anschlu ist mit dem Emitter-
bzw
Source-Anschlu
Leistungstransistors zu verbinden.
Die Verbindung mu mglichst kurz
und direkt zum Emitter- bzw. Source-
Anschlu
des
Leistungselements
geführt sein. Bei Modulen mit Hilfs-
Emitter oder Hilfs-Source ist dieser
Anschlu
zu
verwenden.
Anschlu dient auch als Fupunkt für
die Referenz, wobei die Referenz
mglichst direkt am Anschlu E1 des
Treibermoduls
werden mu.
des
Der
angeschossenen
Abb. 5 Asymmetrische Gate-Widerstnde
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開(kāi)關(guān)式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開(kāi)放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長(zhǎng)度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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