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參數(shù)資料
| 型號： | IDTIDT71P71804200BQ |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/23頁 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | IDTIDT71P71804200BQ |
6.42
5
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
Pin Configuration IDT 71P71804 (1M x 18)
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TMS
TDI
6112 tbl 12b
165-ball FBGA Pinout
TOP V IEW
NOTES:
1. A10 is reserved for the 36Mb expansion address. This must be tied or driven to Vss on the 1Mx 18 DDRII Burst of 2 (71P71804) devices.
2. A2 is reserved for the 72Mb expansion address. This must be tied or driven to VSS on the 1Mx 18 DDRII Burst of 2 (71P71804) devices.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71804250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDT71P73104 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71804250BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
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