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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDTIDT71P71804200BQ |
| 廠(chǎng)商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線(xiàn)的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | IDTIDT71P71804200BQ |
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IDT71P71804 (1M x 18 x -Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
Revision History
REVISION
0
A
DATE
07/29/05
04/21/06
PAGES
1-24
1-3,7,8,10,13,
16,17,22
9,12,19
10
12
DESCRIPTION
Released Final datasheet
Removed 2Mx8 (71P71204) and 2Mx9 (71P71104) device options.
Clarified VDDQ maximumvalue equals VDD.
Updated IDD operating current for x36 and x18 options.
Added clarification for VDDQ and VDD values for AC test condition.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71804250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDT71P73104 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71804250BQ | 制造商:IDT 制造商全稱(chēng):Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQ | 制造商:IDT 制造商全稱(chēng):Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQI | 制造商:IDT 制造商全稱(chēng):Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQ | 制造商:IDT 制造商全稱(chēng):Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQI | 制造商:IDT 制造商全稱(chēng):Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
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