參數(shù)資料
型號(hào)： IDTIDT71P71804200BQ
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
中文描述： 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2
文件頁(yè)數(shù)： 19/23頁(yè)
文件大?。?/td> 241K
代理商： IDTIDT71P71804200BQ
6.42
19
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
J TAG DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Mn
Typ
Max
Unit
Note
I/O Power Supply
V
DDQ
1.4
-
V
DD
V
Power Supply Voltage
V
DD
1.7
1.8
1.9
V
Input High Level
V
IH
1.3
-
V
DD
+0.3
V
Input LowLevel
V
IL
-0.3
-
0.5
V
TCK Input Leakage Current
I
IL
-5
-
+5
μ
A
TMS, TDI Input Leakage Current
I
IL
-15
-
+15
μ
A
TDO Output Leakage Current
I
OL
-5
-
+5
μ
A
Output High Voltage (I
OH
= -1mA)
V
OH
V
DDQ -
0.2
-
V
DDQ
V
1
Output LowVoltage (I
OL
= 1mA)
V
OL
V
SS
-
0.2
V
1
6112 tbl 19
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High Level
V
IH
1.8
V
Input Low Level
V
IL
0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timng Reference Level
0.9
V
1
6112 tbl 20
J TAG AC Test Conditions
NOTE:
1. The output impedance of TDO is set to 50 ohms (nomnal process) and does not vary with the external resistor connected to ZQ.
NOTE:
1. For SRAMoutputs see AC test load on page 12.
J TAG Input Test Waveform
J TAG Output Test Waveform
J TAG AC Test Load
6112 drw 23
0.9 V
0.9 V
Test points
1.8 V
0 V
6112 drw 24
0.9 V
0.9 V
Test points
0.9 V
50
TDO
Z
0
= 50
6112 drw 25
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P71804250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDT71P73104 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73104250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDTIDT71P71804250BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104167BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104167BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104200BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104200BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
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